IXThinker·2026-05-27 17:34貝葉斯優化框架反向設計含鎵新材料
有研究團隊以機器學習引導的貝葉斯優化框架，實現鎵基半導體的反向設計，在化學合理性約束下高效生成目標帶隙區間的新材料，生成結果全部具備新穎性，為半導體材料研發提供高效新路徑。
研究背景
半導體產業的核心能力之一，是對材料電子結構尤其是帶隙的精準設計。然而材料性質受化學鍵合、晶體結構等多因素共同影響，傳統方法依賴經驗探索與高成本計算，效率有限。
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